依据楚天都市报的报导，长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表明，国家存储器基地项目经过3年的建造现已获得了阶段性成效，自主开发的64层三维闪存产品完成量产。
据介绍，杨道虹表明，当时以及往后一段时间他们现在的使命是按期到达月产能10万片，在二期项目中将会到达30万片／月产能。
依据之前的介绍，长江存储科技有限责任公司早在2018年就揭露发布其突破性技能Xtacking，该技能将大幅提高NANDI/O速度到3.0Gbps。
依据官方的阐明，选用Xtacking技能，可在一片晶圆上独立加工担任数据I/O及回忆单元操作的外围电路。这样的加工方法有利于挑选正真合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功用。存储单元相同也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，立异的Xtacking 技能只需一个处理过程就可经过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，笔直互联通道)将二者键合接通电路，并且只增加了有限的本钱。
现在，长江存储已成功将Xtacking 技能应用于其第二代3D NAND产品的开发，大规模量产之后，估计会有更多的贮存产品用上国产芯片。
杨道虹还泄漏称，不只64层三维闪存产品完成量产，更高层的三维闪存产品研制也获得阶段性效果，进一步缩短了与世界龙头企业的距离。
据悉，长江存储科技有限责任公司于2016年7月26日在武汉东湖新技能开发区挂号建立，公司经营范围包含半导体集成电路科技领域内的技能开发；集成电路及相关产品的规划等。
